1、PMOS为N衬底 P沟道 靠空穴导电的晶体管。由于空穴迁移率较低，在晶体管几何尺寸和WP想相同的情况下，其跨导小于NMOS；一般PMOS阈值电压的值较高，需有较大的工作电压；PMOS不能与双极型晶体管兼容；PMOS工作速度较NMOS低一些，是因为其逻辑摆幅大、充放电时间长、跨导小。
2、NMOS当vgs大于一定的值即导通，PMOS当vgs小于一定值后即导通，因此NMOS多用于低端驱动而PMOS多用于高端驱动；
3、PMOS电路工艺相对简单，且价格占有极大优势，在一些小成本制作的中小规模数控电路中仍广泛运用。
