判断NMOS,PMOS管处于饱和区,截止区,三极管区

 时间:2024-10-21 23:55:23

1、NMOS管时:1.当Vgs<Vt时,则NMOS管处于截止区。就是说当栅源电压低于阈值电压时,则管子不导通。2.当 Vds<Vgs-Vt 时,NMOS管处于三极管区。这时NMOS管相当于一个小的电阻(有的也称为可变电阻区)。3.当Vds>Vgs-Vt 时,NMOS管处于饱和区。如果不考虑基区宽度调制效应,我们可以认为漏端电流与Vds无关。

2、PMOS管时:1.当|Vgs| < |Vt| 时,则PMOS管处于截止区。就是说当栅源电压低于阈值电压时,则管子不导通。2.当 |Vds| < |Vgs|-|Vth| 时,PMOS管处于三极管区。这时PMOS管相当于一个小的电阻(有的也称为可变电阻区)。3.当 |Vds| > |Vgs|-|Vth| 时,PMOS管处于饱和区。如果不考虑基区宽度调制效应,我们可以认为漏端电流与Vds无关。

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