1、NMOS管时：
1.当Vgs<Vt 时，则NMOS管处于截止区。就是说当栅源电压低于阈值电压时，则管子不导通。
2.当 Vds<Vgs-Vt 时，NMOS管处于三极管区。这时NMOS管相当于一个小的电阻（有的也称为可变电阻区）。
3.当 Vds>Vgs-Vt 时，NMOS管处于饱和区。如果不考虑基区宽度调制效应，我们可以认为漏端电流与Vds无关。
2、PMOS管时：
1.当|Vgs| < |Vt| 时，则PMOS管处于截止区。就是说当栅源电压低于阈值电压时，则管子不导通。
2.当 |Vds| < |Vgs|-|Vth| 时，PMOS管处于三极管区。这时PMOS管相当于一个小的电阻（有的也称为可变电阻区）。
3.当 |Vds| > |Vgs|-|Vth| 时，PMOS管处于饱和区。如果不考虑基区宽度调制效应，我们可以认为漏端电流与Vds无关。
