1、极限参数电源电压 VDD -0.3~5.5 V磁场强度 B 无限制 Gauss工作环境温度 TA -40~150 ℃存储环境温度 Ts -50~160 ℃ESD(HBM) 6000 V
2、电气参数输出高电平 VOH IOUT=0.5mA VDD-0.2 - - V输出低电平 VOL IOUT=0.5mA - - 0.2 V开启状态电流 IDD(EN) - 2 - mA关断状态电流 IDD(dis) - 3 - uA平均电流 IDD(average) - 5 - uA启动时间 Tawake - 50 100 us扫描周期 Tperiod - 25 - ms占空比 D.C. - 0.2% -
3、磁参数工作点 BOP 25 ℃ - ±20 - 高斯（Gauss）释放点 BRP 25 ℃ - ±15 - 高斯（Gauss）迟滞 BHYS 25 ℃ - 5 - 高斯（Gauss）
